Notranja struktura diode za hitro obnovitev se razlikuje od običajne spojne diode PN, ki spada v spojno diodo PIN, tj. osnovno območje I je dodano sredi silicijevega materiala tipa P in silicijevega materiala tipa N, da se tvori PIN silikonska rezina. Ker je osnovno območje zelo tanko, je povratni povratni naboj zelo majhen, zato je povratni obnovitveni čas diode za hitro obnovitev krajši, padec napetosti naprej je nižji in povratna prebojna napetost (vrednost vzdržljive napetosti) je višja.